为实现大面积高解析度的液晶显示，通常需要采用低阻抗金属材料、高性能开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 TFT 总线上，研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题，先后报道了合金法 （如 Al- Cu、Al- Si、Al- Nd以及 Al- Ti 等） 和夹层法 （如 Mo/Al/Mo、Cr/Al/Cr以及 Ti/Al/Ti 等），合金法在工艺上相对比较简单，但材料的电阻率较高 。1998 年5 月，IBM 利用Al- Nd 合金作为栅电极，开发出 16 . 3 英寸超高解析度（200ppi）a- Si TFT 显示器，并已实现批量生产 。1999 年4月， 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- SVGA（3 , 200 ×2 , 400）a- Si TFT- LCD，可谓是代表了 a- Si TFT- LCD 在高解析度和高容量方面的较高水平。

实现高解析度液晶显示的另一重要途径是开发 LT p- Si TFT 技术 。 已 发 表 的 p- SiTFT- LCD 产品的解析度一般在 200ppi 左右 。同a- Si TFT- LCD 相比，LT p- Si TFT- LCD 具有较小体积的薄膜晶体管及储存电容器，因此，它每一英寸具有更大的穿透区，从而造就了更亮的显示画面，且更省电。当市场需求更高的 ppi 时，低温多晶硅（LTPS）技术就成为制造高分辨率薄膜晶体管液晶显示器的较佳选择。

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